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5V, SUPER MINIMOLD
MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER
UPC2710TB
FEATURES
GAIN vs.
FREQUENCY and TEMPERATURE
? HIGH DENSITY SURFACE MOUNTING:
6 Pin Super Minimold or SOT-363 package
? HIGH GAIN:
33 dB TYP
? SATURATED OUTPUT POWER:
+13.5 dBm
? SUPPLY VOLTAGE:
V CC = 4.5 to 5.5 V
DESCRIPTION
NEC's UPC2710TB is a Silicon RFIC manufactured using the
35
30
25
T A = -40?C
T A = +25?C
T A = +85?C
V CC = 5.0 V
NESAT III process. This device is suitable as a PA driver
0.1
0.3
1.0
2.0
amplifier for cellular radio and other communication receivers.
The UPC2710TB is pin compatible and has comparable per-
formance to the larger UPC2710T, so it is suitable for use as
a replacement to help reduce system size. The IC is housed in
a 6 pin super minimold or SOT-363 package.
NEC's stringent quality assurance and test procedures ensure
the highest reliability and performance.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C, V CC = 5 V, f = 0.5 GHz)
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
Frequency, f (GHz)
UPC2710TB
S06
SYMBOLS
I CC
G S
PARAMETERS AND CONDITIONS
Circuit Current (no signal)
Small Signal Gain
UNITS
mA
dB
MIN
16
30
TYP
22
33
MAX
29
36.5
f U
Upper Limit Operating Frequency
(The gain at f U is 3 dB down from the gain at 0.1 GHz)
GHz
0.7
1.0
? G S
Gain Flatness, f = 0.1 ~ 0.6 GHz
f = 0.1 ~ 0.8 GHz
dB
± 0.8
P SAT
P 1dB
Saturated Output Power
Output Power at 1dB Compression Point
dBm
dBm
+11
+13.5
+7.5
NF
Noise Figure
dB
3.5
5
RL IN
RL OUT
ISOL
? G T
R TH
Input Return Loss
Output Return Loss
Isolation
Gain -Temperature Coefficient
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
dB
dB
dB
dB/ ° C
° C/W
3
9
34
6
12
39
-0.006
325
California Eastern Laboratories
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